瑞典Ionautics HiPSTER 25重磅新品！ SiC晶体管引领HiPIMS高效镀膜新时代，镀膜效率显著提升

在当今高科技材料加工和表面改性领域，高性能离子镀膜技术（HiPIMS）正以其独特的优势，推动着整个行业的快速发展。作为该领域的领航者，瑞典Ionautics始终致力于技术创新与突破，为全球客户提供最优质的产品和服务。近日，全新升级的HiPSTER 25设备。这款设备集成了尖端碳化硅（SiC）晶体管技术，不仅在性能上实现了质的飞跃，更在高效运行模式上进行了重新定义。HiPSTER 25的问世，使得设备在运行时能够更加稳定、高效。同时，HiPSTER 25在性能上也得到了显著提升，能够满足客户对于高精度、高质量镀膜的需求。此外，该设备还具备出色的节能效果，为客户节省了大量的运行成本。

SiC晶体管性能与效率的双重飞跃

HiPSTER 25的核心竞争力在于其采用的SiC晶体管。SiC作为一种新型半导体材料，以其出色的耐高温、高频率特性和卓越的导电性能，成为替代传统硅基材料的理想选择。在HiPIMS系统中，SiC晶体管能够承受更高的工作温度和更快的开关速度，这直接转化为更高的能量效率和更稳定的工艺输出。通过减少能量损失和热管理挑战，HiPSTER 25为用户提供了工艺灵活性和稳定性，确保了镀膜过程的精确控制和质量一致性。

双极HiPIMS技术

作为新一代HiPIMS技术的代表，HiPSTER双极HiPIMS装置在专业设计团队的精心打造下，展现了卓越的技术创新。双极运行模式是该系统的亮点之一，它允许在无需基底偏压的情况下实现离子加速，简化了工艺步骤，还提升了镀膜的质量和均匀性。通过精确调控离子能量和方向，HiPSTER 25能够在各种基材上实现更光滑、更致密的涂层，这对于提高产品的耐磨性、耐腐蚀性和光学性能至关重要。HiPSTER 25的另一个显著优势在于其稳定的工艺控制能力。通过集成多个工艺参数调整选项，用户可以根据具体需求精细调节镀膜过程中的各项参数，如气体流量、放电电压和脉冲频率等。这种高度的可定制性确保了无论是硬质涂层、光学镀膜还是电气涂层，都能获得最佳的镀膜效果。此外，系统支持从外部触发多个电源，为复杂的多层镀膜和复合结构镀膜提供了可能，进一步拓宽了应用范围。

超快开关技术与脉冲控制

新型开关技术的引入，使得HiPSTER 25的HiPIMS脉冲频率高达150 kHz，这是传统系统难以企及的速度。高频脉冲不仅能够显著提高镀膜效率，还能促进更均匀、更致密的薄膜沉积，尤其是在处理复杂三维结构时表现尤为突出。增强的HiPIMS脉冲控制功能，使得用户能够精确控制脉冲的形状、宽度和能量分布，为开发新型材料和优化现有工艺的工具。

HiPSTER 25广泛的应用领域和优势

为了进一步提升镀膜的稳定性和沉积率，HiPSTER 25集成了Ionautics的反应过程控制系统。该系统通过实时监测和调节镀膜过程中的化学反应，确保镀膜成分和结构的精确控制，减少缺陷和杂质，提高镀膜的整体质量和一致性。无论是反应式HiPIMS还是其他类型的磁控管和工艺，HiPSTER 25都经过了广泛的测试和优化，确保了其在各种应用场景下的优异表现，还具有以下优势：

输出规格

输出平均功率: < 25KW

调节模式：电压、电流、功率、脉冲电流、脉冲电荷

脉冲充电电弧控制反应时间：<2μs

输⼊规格

输⼊电压交流：1 phase + N, 100-240 VAC, 50/60 Hz

230 V 时的输⼊电流：0.3A

直流充电输⼊：最⼤1000 V，完全浮动 +/- 1 kV kV 距地

远程通信：RS 232、RS 485、EtherCat、Proibus

单极模式（负脉冲）

输出峰值电压：≤1000V

输出峰值电流：≤ 1500A

脉冲持续时间：3.5 µs ⾄ 1000 µs

脉冲频率：50 ⾄ 10000 Hz

可选双极模式（正脉冲）

输出峰值电压：≤250V

脉冲持续时间：≤ 1500µs

脉冲延迟：3.5µs至1000µs

可选脉冲模式直流

脉冲频率：⾼达 150 kHz

1、双极运行：提供离子加速功能，无需额外施加基底偏压，简化了工艺步骤并提升了镀膜质量。

2、多参数工艺控制：通过调节多个工艺参数，实现稳定而强大的工艺控制能力，确保镀膜过程的精确性和一致性。

3、外部触发功能：支持从外部触发（包括多个电源），为复杂的多层镀膜和复合结构镀膜提供了灵活性和便利性。

4、高频脉冲技术：采用新型开关技术，使HiPIMS脉冲频率高达150 kHz，显著提高了镀膜效率和均匀性。

5、兼容多种磁控管和工艺：经过多种磁控管和工艺（包括反应式HiPIMS）的测试，确保了广泛的适用性和兼容性。

6、Ionautics反应过程控制：增加Ionautics的反应过程控制系统，通过实时监测和调节镀膜过程中的化学反应，提高了镀膜的稳定性和沉积率。

此外，HiPSTER 25还广泛应用于扩散屏障和电气涂层的制备中。通过增加涂层密度，提高了扩散屏障的阻隔性能，有效防止了不同材料间的相互渗透。在电气涂层方面，HiPSTER 25通过减少涂层厚度和降低热负荷，显著提高了导电材料的导电性，同时增强了绝缘体的隔离效果，为电子封装和电力传输领域提供了高效的解决方案。在三维涂层方面，HiPSTER 25展现了其镀膜均匀性，能够在形状复杂的基材上实现薄膜的均匀覆盖，这对于航空航天、医疗器械和汽车制造等行业具有重要意义HiPSTER 25作为高性能离子镀膜技术（HiPIMS）的杰出代表，凭借其集成的尖端碳化硅（SiC）晶体管、双极HiPIMS技术、超快开关技术与脉冲控制，以及Ionautics反应过程控制系统，已经在多个领域展现出了卓越的性能和广泛的应用潜力。

HiPSTER 25的成功源于Ionautics深厚的行业积累和技术创新，在其持续创新和不懈努力下，HiPSTER 25将继续引领HiPIMS技术发展，为高科技材料加工和表面改性领域注入新活力，并成为连接全球客户与Ionautics的桥梁，共同推动离子镀膜技术的不断进步和广泛应用。

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